4 月 16 日消息，复旦大学晚间官宣，复旦集成电路领域再获关键突破。
复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室、芯片与系统前沿技术研究院周鹏-刘春森团队通过构建准二维泊松模型，在理论上预测了超注入现象，打破了现有存储速度的理论极限，研制「破晓（PoX）」皮秒闪存器件，其擦写速度可提升至亚 1 纳秒（400 皮秒），相当于每秒可执行 25 亿次操作，是迄今为止世界上最快的半导体电荷存储技术。相关成果以《亚纳秒超注入闪存》为题于北京时间 4 月 16 日晚间在《自然》（Nature）期刊上发表。
复旦大学表示，在该技术基础上，未来的个人电脑将不存在内存和外存的概念，无需分层存储，还能实现 AI 大模型的本地部署。团队给技术取名为「破晓」，寓意打破既有存储速度分级架构，迎接一个全新的存储时代。（来源：IT 之家）
