快科技 4 月 24 日消息，除了发展 N2、A16、A14 等采用 GAAFET 全环绕晶体管的全新工艺，台积电还在持续挖掘传统 FinFET 立体晶体管的极限，最后一代用它的 N3 系列工艺节点仍在不断演进。
在美国举办的北美技术论坛 2025 上，台积电最新宣布，3nm 级工艺的第三代 N3P 已经在 2024 年第四季度投入量产，第四代 N3X 则会在今年下半年投产。
N3P 就是第二代 N3E 的升级版，面向需要高性能的客户端、数据中心应用，同时保持 IP 与设计兼容。
按照官方数据，N3P 同等功耗下的性能可再提升约5％，而同等性能下的功耗可再降低5-10％，另外晶体管密度提升4％，尤其是 SRAM 缩放的提升较为明显。
苹果 M3、高通骁龙 8 至尊版、联发科天玑 9400/9400+ 等都用的 N3E 工艺，不知道今年的升级换代会不会都上 N3P？还是直奔 N2？
N3X 则是 N3P 的再次升级版，可继续将同等功耗性能提升5％，同等性能功耗降低7％。
更关键的是，N3X 支持最高达 1.2V 的电压，从而将频率、性能挖掘到极致，但代价就是漏电率骤然增大最多 250％，因此芯片设计要非常慎重。
根据路线图，台积电 N3 明年还会有 N3A、N3C 两个版本，但未做具体介绍，从定位看 N3C 是超低成本，定位很低。
PS：台积电 N3 其实还有个特殊版本 N3B，但性能和成本都不算太好，大客户中只有 Intel 一家在用，就是 Lunar Lake、Arrow Lake，妥妥的大冤种。
